| Deutsch |
English |
| Substantive |
nouns |
| Halbleiter |
semiconductor |
| Halbleiter |
electronic semiconductor |
| I-Halbleiter |
i-type semiconductor |
| I-Halbleiter |
intrinsic semiconductor |
| Halbleiter-Stromversorgung |
solid state power supply |
| Halbleiter-Chip |
semiconductor die |
| Halbleiter-Chip |
semiconductor chip |
| Halbleiter-Bildaufnehmer |
charge-coupled image sensor |
| Halbleiter-Bildaufnehmer |
CCD sensor |
| Halbleiter-Bildaufnehmer |
solid-state image sensor |
| Metall-Isolator-Halbleiter |
metal insulator semiconductor /MIS/ |
| Halbleiter-Aufzeichnungsträger |
Semiconductor media |
| Mehrkristall-Halbleiter-Gleichrichter |
Polycrystalline semiconductors |
| Halbleiter |
Semiconductors |
| Halbleiter-Leuchtdioden |
Semiconductor light emitting diodes (LEDs) |
| Sprachgebrauch |
usage |
| organischer Halbleiter |
organic semiconductor |
| amorpher Halbleiter |
amorphous semiconductor |
| komplementäre Metalloxid-Halbleiter /CMOS/ |
Complementary Metal Oxide Semiconductors /CMOS/ |
| Halbleiter-"Laser" werden gewöhnlich als "Laser"-Dioden bezeichnet. |
Semiconductor "lasers" are commonly called "laser" diodes. |
| einzelne Halbleiter-"Laser" mit einer jeweiligen Ausgangsleistung größer als 200 mW, in Mengen größer als 100 |
Individual semiconductor "lasers" with an output power greater than 200 mW each, in quantities larger than 100; |
| Aufnahmeröhren und Halbleiter-Bildsensoren, die eine Bildwiederholungsfrequenz größer/gleich 1 kHz erlauben |
Framing tubes and solid-state imaging devices having a recurrence frequency equal to or exceeding 1 kHz; |
| Halbleiter-‘Laser‘-Arrays mit einer Ausgangsleistung größer als 20 W. |
Semiconductor “laser” arrays having an output power greater than 20 W. |
| :Aufnahmeröhren und Halbleiter-Bildsensoren für die Verwendung in Kameras, die von Unternummer 6A203b3 erfasst werden, wie folgt: |
Framing tubes and solid-state imaging devices for use with cameras specified in 6A203.b.3., as follows |
| mehr als 12 × 106"aktive Bildelemente" für Halbleiter-Farbkameras mit einer Halbleiter-Sensor-Anordnung und |
More than 12 × 106"active pixels" for solid state array colour cameras incorporating one solid state array; and |
| mehr als 4 × 106"aktive Bildelemente" je Halbleiter-Sensor-Anordnung für Farbkameras mit drei Halbleiter-Sensor-Anordnungen oder |
More than 4 × 106"active pixels" per solid state array for colour cameras incorporating three solid state arrays; or |
| mehr als 4 × 106"aktive Bildelemente" (active pixels) je Halbleiter-Sensor-Anordnung für Monochrom-Kameras (Schwarzweißkameras), |
More than 4 × 106"active pixels" per solid state array for monochrome (black and white) cameras; |
| Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 350 nm; |
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm; |
| :Halbleiter „laser“ wie folgt: |
semiconductor "lasers" as follows |
| Anmerkung:Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). |
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS). |
| Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat"; |
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; |
| magnetische, optische oder Halbleiter-Aufzeichnungsträger verwendend |
Using magnetic, optical or semiconductor media |
| Glasplatten (Substrate) von einer dielektrischen Metallschicht überzogen, nach den Normen des SEMII Halbleiter [11] |
Glass-plate substrates, coated with a dielectric thin film, and of a semiconductor grade in accordance with SEMII-standards [11] |
| :einzelne Halbleiter-"Laser"-Arrays, mit einer der folgenden Eigenschaften: |
Individual semiconductor "laser" arrays, having any of the following |
| andere Bildröhren und Halbleiter-Bildsensoren, die eine Schnellbild-Abtastzeit kleiner als 50 ns haben und besonders konstruiert sind für Kameras, die von Unternummer 6A203b3 erfasst werden; |
other framing tubes and solid-state imaging devices having a fast-image gating time of less than 50 ns specially designed for cameras specified in 6A203.b.3.; |
| :Halbleiter-"Laser" und Bestandteile hierfür wie folgt: |
Semiconductor "lasers" and components thereof, as follows |
| Nichtflüchtige Halbleiter-Datenspeicher |
Solid-state non-volatile storage devices |
| Anmerkung 2:Excimer-, Halbleiter-, chemische-, CO- und CO2-"Laser" sowie Nd: Glas-Einzelpuls "laser" sind ausschließlich in Unternummer 6A005d aufgeführt. |
Note 2:excimer, semiconductor, chemical, CO, CO2, and non-repetitive pulsed Nd: glass "lasers" are only specified in 6A005.d. |
| nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und |
not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and |
| Diese Nummer erfasst nicht Halbleiter-"Laser", erfasst in den Unternummern 0B001.h.6 und 6A005.b. |
This item does not cover semiconductor "lasers" defined in items 0B001.h.6 and 6A005.b |
| Anmerkung 2:Die Erfassung von Halbleiter „lasern“, besonders konstruiert für andere Ausrüstung, richtet sich nach dem Erfassungstatus der anderen Ausrüstung. |
Note 2:the control status of semiconductor "lasers" specially designed for other equipment is determined by the control status of the other equipment. |
| Ein 'Stack aus Halbleiter-"Laser"-Arrays' wird durch Stapeln oder anderweitiges Zusammenfügen von 'Arrays' so hergestellt, dass die Achsen der emittierten Lichtstrahlen parallel verlaufen. |
An 'array stack' is fabricated by stacking, or otherwise assembling, 'arrays' so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths. |
| Ein 'Array' besteht aus mehreren Halbleiter-"Laser"quellen, die so auf einem Chip angeordnet sind, dass die Achsen der emittierten Lichtstrahlen parallel verlaufen. |
An 'array' consists of multiple semiconductor "laser" emitters fabricated as a single chip so that the centres of the emitted light beams are on parallel paths. |
| CPA 26.20.22: Nichtflüchtige Halbleiter-Datenspeicher |
CPA 26.20.22: Solid-state non-volatile storage devices |
| Abstimmbare Halbleiter-"Laser" und abstimmbare Halbleiter-"Laser"-Arrays mit einer Wellenlänge größer/gleich 9 μm und kleiner/gleich 17 μm sowie Stacks aus Halbleiter-"Lasern", die wenigstens ein abstimmbares Halbleiter-"Laser"-Array mit einer solchen Wellenlänge enthalten |
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser array" of such wavelength. |
| :Einzelne Halbleiter"laser", die im transversalen Multimodebetrieb arbeiten, mit einer der folgenden Eigenschaften: |
individual, multiple-transverse mode semiconductor "lasers", having any of the following |
| :einzelne Halbleiter "laser", die im transversalen Singlemodebetrieb arbeiten, mit einer der folgenden Eigenschaften: |
Individual single-transverse mode semiconductor "lasers" having any of the following |
| :Halbleiter-Leistungsmodul, mit: |
Semiconductor power modules comprising |
| ’Stacks aus Halbleiter "laser"-Arrays’, die wenigstens ein von Unternummer 6A005d1c erfasstes ’Array’ enthalten. |
’Array stacks’ of semiconductor "lasers" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.; |
| "Aktives Bildelement" (6 8) (active pixel): das kleinste Einzelelement einer Halbleiter-Matrix (Sensor), das eine fotoelektrische Übertragungsfunktion hat, wenn es Licht (elektromagnetischer Strahlung) ausgesetzt ist. |
"Active flight control systems" (7) are systems that function to prevent undesirable "aircraft" and missile motions or structural loads by autonomously processing outputs from multiple sensors and then providing necessary preventive commands to effect automatic control. |
| Anmerkung 1: Unternummer 6A005b schließt Halbleiter-"Laser" mit faser-optischen Anschlussstücken (fibre optic pigtails) ein. |
Note 1: 6A005.b. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g. fibre optic pigtails). |
| Anmerkung 1:Unternummer 6A005d1 schließt Halbleiter „laser“ mit faseroptischen Anschlußstücken (fibre optic pigtails) ein. |
Note 1:6A005.d.1. includes semiconductor "lasers" having optical output connectors (e.g. fibre optic pigtails). |
| …Patente, Gebrauchsmuster and Gebrauchszertifikate, Geschmacksmuster, Urheberrechte, Betriebsgeheimnisse, Datenbankrechte, Halbleiter-Topografierechte sowie die Eintragung, Anmeldung, Aufteilung, Überprüfung oder Aufrechterhaltung der vorstehenden Rechte… |
…models and utility certificates, industrial design rights, copyrights, trade secrets, database rights, topographies of semiconductor products' rights, as well as any registrations, applications, divisions, continuations, re-examinations, renewals or reissues of any of the… |
| Cadmium in farbkonvertierenden II–VI-basierten LEDs (< 10 μg Cd je mm2 Licht emittierende Fläche) zur Verwendung in Halbleiter-Beleuchtungen oder Display-Systemen |
Cadmium in colour converting II-VI LEDs (< 10 μg Cd per mm2 of light-emitting area) for use in solid state illumination or display systems |
| durch Diffusions-, Implantations- oder Abscheidungsverfahren in oder auf einem einzelnen Halbleiter-Substrat, einem so genannten Chip, gebildet sind, |
Single Instruction Multiple Data (SIMD) architectures such as vector or array processors; |
| Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen in Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind |
10(b) Lead in PZT based dielectric ceramic materials of capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors |
| a. Aufnahmeröhren und Halbleiter-Bildsensoren, die eine Bildwiederholungsfrequenz größer/gleich 1 kHz erlauben; |
a. Framing tubes and solid-state imaging devices having a recurrence frequency equal to or exceeding 1 kHz; |
| b. Halbleiter-"Laser"-Arrays mit einer Ausgangsleistung größer als 20 W. |
b. Semiconductor "laser" arrays having an output power greater than 20 W. |
| "Aktives Bildelement" (6 8) (active pixel): das kleinste Einzelelement einer Halbleiter-Matrix (Sensor), das eine fotoelektrische Übertragungsfunktion hat, wenn es Licht (elektromagnetischer Strahlung) ausgesetzt ist. |
"Accuracy" (2 6), usually measured in terms of inaccuracy, means the maximum deviation, positive or negative, of an indicated value from an accepted standard or true value. |
| Ein "Laser", der verschiedene auswählbare Linien mit diskreten Wellenlängen innerhalb eines "Laser"übergangs erzeugt, gilt nicht als abstimmbar. "Aktives Bildelement" (6 8) (active pixel): das kleinste Einzelelement einer Halbleiter-Matrix (Sensor), das eine fotoelektrische Übertragungsfunktion hat, wenn es Licht (elektromagnetischer Strahlung) ausgesetzt ist. |
"Accuracy" (2 6), usually measured in terms of inaccuracy, means the maximum deviation, positive or negative, of an indicated value from an accepted standard or true value. |
| a. einzelne Halbleiter-"Laser" mit einer jeweiligen Ausgangsleistung größer als 200 mW, in Mengen größer als 100; |
a. Individual semiconductor "lasers" with an output power greater than 200 mW each, in quantities larger than 100; |
| Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind“ |
Lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors’ |
| durch Diffusions-, Implantations- oder Abscheidungsverfahren in oder auf einem einzelnen Halbleiter-Substrat, einem so genannten Chip, gebildet sind, |
Are formed by means of diffusion processes, implantation processes or deposition processes in or on a single semiconducting piece of material, a so-called ’chip’; |
| Stacks aus Halbleiter-"Laser"-Arrays, die wenigstens ein von 6A005b3 erfasstes Array enthalten. |
Array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3. |
| Im Sinne von Unternummer 3A001h enthält ein ’Modul’ einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden. |
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes. |
| Elektronischer Halbleiter-Beschleunigungssensor in einem Gehäuse, im Wesentlichen bestehend aus: |
Electronic semiconductor accelerometer in a housing, mainly consisting of |
| Elektronischer barometrischer Halbleiter-Drucksensor in einem Gehäuse, im Wesentlichen bestehend aus |
Electronic barometric semiconductor pressure sensor in a housing, mainly consisting of |
| :Glasplatten (Substrate) von einer dielektrischen Metallschicht überzogen, nach den Normen des SEMII [88] Halbleiter– earbeitet, jedoch weder gerahmt noch in Verbindung mit anderen Stoffen: |
Glass-plate substrates, coated with a dielectric thin film, and of a semiconductor grade in accordance with SEMII-standards [88]– with other materials |
| Das Gerät kann optische Medien (z. B. CD, DVD) und Halbleiter-Aufzeichnungsträger (z. B. USB-Flash-Speicher) in verschiedenen Audio- und Videoformaten lesen. |
It can read optical media (for example, CD, DVD) and semiconductor media (for example, USB flash memory) in various audio and video formats. |
| Die Halbleiter sind Teil der elektronischen Bauelemente. |
Semiconductors belong to the family of electronic components. |
| Halbleiter-Thyristoren, -Diacs und -Triacs |
Semiconductor thyristors, diacs and triacs |
| :Halbleiter-‚Laser‘, soweit nicht in den Unternummern 0B001.g.5., 0B001.h.6. oder 6A005.b. erfasst, und Bestandteile hierfür wie folgt: |
Semiconductor “lasers”, other than those specified in 0B001.g.5., 0B001.h.6. or 6A005.b., and components thereof, as follows |
| Silicium mit einem höheren Reinheitsgrad, d. h. mit einem Siliciumgehalt von nicht weniger als 99,99 GHT, das hauptsächlich in der Industrie für elektronische Halbleiter verwendet wird, fällt unter einen anderen KN-Code und ist nicht Gegenstand dieses Verfahrens. |
Silicon with a higher purity, that is containing by weight not less than 99,99 % of silicon, used mostly in the electronic semiconductor industry, falls under a different CN code and is not covered by this proceeding. |
| :Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder ’Module’ mit allen folgenden Eigenschaften: |
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following |
| Nichtflüchtige Halbleiter-Datenspeichervorrichtungen zur Aufzeichnung von Daten aus externen Quellen (Flash-Speicherkarten oder elektronischen Flash-Speicherkarten), ohne Aufzeichnung |
Solid-state, non-volatile data storage devices for recording data from an external source (flash memory cards or flash electronic storage cards), unrecorded |
| Stromrichter (ohne polykristalline Halbleiter, speziell für das Schweißen bestimmte Wandler, ohne Schweißgeräte, Akkumulatorenladegeräte, Gleichrichter, Wechselrichter) |
Static converters (excluding polycrystalline semiconductors, converters specially designed for welding, without welding equipment, accumulator chargers, rectifiers, inverters) |
| Isostatisch gepresster Graphit wird typischerweise für Funkenerosionselektroden, Stranggusskokillen, Warmpressgesenke und Halbleiter eingesetzt. Stranggepresster Graphit findet Anwendung bei elektrolytischen Anoden und Kathoden, Schiffchen und bei der… |
Specialty graphite products are often categorised by the way the graphite is produced: isostatic graphite (produced through isostatic moulding), used in EDM electrodes, continuous-casting dies, hot-press moulds, semiconductor applications; and extruded graphite (produced through extrusion), used in electrolytic anodes… |
| Die Substitution von Blei in PZT-basierten dielektrischen Keramikwerkstoffen für Kondensatoren, die Teil integrierter Schaltkreise oder diskreter Halbleiter sind, ist technisch noch nicht praktikabel. |
The substitution of lead in PZT based dielectric ceramic materials for capacitors being part of integrated circuits or discrete semiconductors is still technically impracticable. |
| Es handelt sich um Halbleiter zur Speicherung von Binärdaten. |
They are semiconductors that store binary data. |
| Diese Nummer erfasst nicht Halbleiter-"Laser", erfasst von den Unternummern 0B001h6 und 6A005b. |
This item does not control semiconductor "lasers" defined in items 0B001.h.6 and 6A005.b. |
| Der Wechselstromgenerator des Antragstellers verfügt über eine Synchrongleichrichtung mittels Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, wodurch ein hoher Wirkungsgrad erzielt wird. |
The Applicant’s alternator is equipped with synchronous rectification using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors thereby ensuring a high level of efficiency. |
| PN-Übergang in einem Halbleiter, Entwicklung von Potential über einen PN-Übergang in den Zuständen ohne Vorspannung, mit Vorwärts-Vorspannung und Rückwärts-Vorspannung; |
PN junction in a semiconductor, development of a potential across a PN junction in unbiased, forward biased and reverse biased conditions; |
| :Vorrichtung zum Messen der Raddrehzahl in Kraftfahrzeugen (Halbleiter Raddrehzahlsensor) bestehend aus: |
Device for measuring wheel speed in vehicles (semi-conductor wheel speed sensor), consisting of |
