| English |
Deutsch |
| nouns |
Substantive |
| power transistors |
Leistungstransistoren |
| transistors |
Transistoren |
| diffusion transistors |
Diffusionstransistoren |
| intrinsic barrier transistors |
I-Schicht-Transistoren |
| mesa transistors |
Mesa-Transistoren |
| field-effect transistors |
Feldeffekttransistoren |
| junction transistors |
Flächentransistoren |
| hetero-bipolar transistors |
EDM |
| Photo sensitive transistors |
Fototransistoren |
| Unijunction transistors |
Unijunktion-Transistoren |
| usage |
Sprachgebrauch |
| Transistors, other than photosensitive transistors |
Transistoren, andere als Fototransistoren |
| Unit consisting of two junction field effect transistors contained in a dual lead frame housing |
Einheit, bestehend aus zwei Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFET) in einem Dual-lead-frame-Gehäuse |
| Photosensitive semiconductor devices; solar cells, photo-diodes, photo-transistors, etc. |
Andere lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (z. B. Solarzellen, Fotodioden, Fototransistoren, Fotothyristoren, Fotokoppler) |
| Unit consisting of two metal oxide semiconductor field effect transistors contained in a dual lead frame housing |
Einheit, bestehend aus zwei Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) in einem Dual-lead-frame-Gehäuse |
| Heat sinks and cooling fins of aluminium, for maintaining the operating temperature of transistors and integrated circuits in television sets [1] |
Wärmeableiter und Kühlrippen aus Aluminium, zur Einhaltung der Betriebstemperatur von Transistoren und integrierten Schaltungen in Fernsehgeräten [1] |
| Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, including photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels; light-emitting diodes; mounted piezoelectric crystals |
Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche Halbleiterbauelemente (einschließlich Fotoelemente, auch zu Modulen zusammengesetzt oder in Form von Tafeln); Leuchtdioden; gefasste oder montierte piezoelektrische Kristalle |
| Diodes, transistors and similar semi-conductor devices, except wafers not yet cut into chips |
Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente, ausgenommen noch nicht in Mikroplättchen zerschnittene Scheiben (Wafers) |
| ‘Diodes, transistors and similar semiconductor devices’ are semiconductor devices the operation of which depends on variations in resistivity on the application of an electric field. |
„Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente“ Bauelemente, deren Arbeitsweise auf der Veränderung des spezifischen Widerstandes unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes beruht; |
| …resistors, capacitors, inductances, etc.), obtained by thin- or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes… |
…Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw.), die in der Dünnschicht oder Dickschichttechnik hergestellt worden sind und aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren, monolithische integrierte Schaltungen usw.), die in der Halbleitertechnik hergestellt worden sind, auf praktisch… |
| Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz. |
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. |
| …for x-ray apparatus (x-ray flat panel sensors/x-ray sensors) consisting of a glass plate with a matrix of thin-film transistors, covered with a film of amorphous silicon, coated with a scintillator layer of caesium iodide and a metallised protective… |
…für Röntgengeräte (Röntgenflachdetektor/X-Ray Sensors) bestehend aus einer Glasplatte mit einer Matrix aus Dünnfilmtransistoren, beschichtet mit einem Film aus amorphem Silizium welcher mit einer Cäsiumjodid-Schicht (Scintillator) und einer metallisierenden Schutzschicht… |
| monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, inductances, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor or compound semiconductor material (for example, doped… |
monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z. B. dotiertes Silizium… |
| Static converter comprising a power switch with insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), contained in a housing, for use in the manufacture of microwave ovens of subheading 85165000 [1] |
Statischer Umwandler mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [1] |
| discrete microwave transistors having any of the following |
:diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: |
| Aluminium die cast heat sink, for maintaining the operating temperature of transistors and integrated circuits, for use in the manufacture of products falling within heading 8527 [1] |
Wärmeableiter aus Aluminium, im Druckgussverfahren hergestellt, zur Erhaltung der Betriebstemperatur von Transistoren und integriertenSchaltungen, zur Verwendung beim Herstellen von Waren der Position 8527 [1] |
| hetero-bipolar transistors |
Globales Positionierungssystem (global positioning system) |
| Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices; |
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; |
| not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and |
nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und |
| Diodes; transistors; thyristors, diacs and triacs |
Dioden; Transistoren; Thyristoren, Diacs und Triacs |
| high electron mobility transistors |
Digitale Aufzeichnung hoher Dichte (high density digital recording) |
| Semiconductor power transistors with a dissipation rate ≥ 1 W |
Transistoren (ohne Fototransistoren), mit einer Verlustleistung ≥ 1 W |
| Semiconductor small signal transistors with a dissipation rate < 1 W |
Transistoren (ohne Fototransistoren), mit einer Verlustleistung < 1 W |
| Transistors with a dissipation rate < 1 W (excl. photosensitive transistors) |
Transistoren mit einer Verlustleistung von < 1 W (andere als Fototransistoren) |
| Heat sinks and cooling fins of aluminium, for maintaining the operating temperature of transistors and/or integrated circuits in products of heading 8521 |
Wärmeableiter und Kühlrippen aus Aluminium, zur Einhaltung der Betriebstemperatur von Transistoren und/oder integrierten Schaltungen in Waren der Position 8521 |
| CPA 26.11.21: Diodes; transistors; thyristors, diacs and triacs |
CPA 26.11.21: Dioden; Transistoren; Thyristoren, Diacs und Triacs |
| Bipolar junction transistors (BJT) |
Bipolare Sperrschicht-Transistoren (BJT) |
| Bipolar darlington or radio frequency (RF) transistors |
Bipolare Darlington- oder Hochfrequenztransistoren (HF-Transistoren) |
| Bipolar Junction Transistors (BJTs) |
BJTs (Bipolar Junction Transistors) |
| …passive elements (for example, resistors, capacitors and inductors), active elements (for example, diodes and transistors) and a heat sink for a voltage not exceeding 1000 V, in a housing with dimensions of approximately 24 × 13 × 5 cm. |
…passiven Elementen (z. B. Widerständen, Kondensatoren und Drosselspulen), aktiven Elementen (z. B. Dioden und Transistoren) und einem Kühlkörper für eine Spannung von 1000 V oder weniger, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von etwa 24 × 13 × 5 cm. |
| Junction Field Effect Transistors (JFETs) |
JFETs (Junction Field Effect Transistors) |
| Junction field effect transistors (JFET) |
Sperrschichtfeldeffekttransistoren (JFET) |
| a programmable memory controller with active and passive components, for example, transistors, diodes, a processor, resistors, capacitors and inductors, |
einer speicherprogrammierbaren Steuerung mit aktiven und passiven Bauelementen, z. B. Transistoren, Dioden, einem Prozessor, Widerständen, Kondensatoren und Drosselspulen, |
| Field effect transistors (FET) |
Feldeffekttransistoren (FET) |
| for maintaining the operating temperature of transistors, diodes and integrated circuits in products of headings 8521 and 8528 [1] |
zur Erhaltung der Betriebstemperatur von Transistoren, Dioden und integrierten Schaltkreisen in Erzeugnissen der Positionen 8521 und 8528 [1] |
| Construction and operation of PNP and NPN transistors; |
Konstruktion und Arbeitsweise von PNP- und NPN-Transistoren; |
| An article (so-called "LED strip") comprising light-emitting diodes (LED), transistors, resistors and protection diodes. |
Eine Ware (sog. LED-Band), bestehend aus Leuchtdioden (LED), Transistoren, Widerständen und Schutzdioden. |
| Application of transistors: classes of amplifier (A, B, C); |
Anwendung von Transistoren: Verstärkerklassen (A, B, C); |
| hetero-bipolar transistors |
Global positioning system (Globales Positionierungssystem) |
| High Electron Mobility Transistors (HEMTs) |
HEMTs (High Electron Mobility Transistors) |
| high electron mobility transistors |
High density digital recording (Digitale Aufzeichnung hoher Dichte) |
| Insulated gate bipolar transistors (IGBT) |
Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) |
| It comprises a controller with active and passive components, for example, transistors, diodes, a processor, resistors, capacitors and inductors. |
Es enthält einen Controller mit aktiven und passiven Bauelementen, z. B. Transistoren, Dioden, einem Prozessor, Widerständen, Kondensatoren und Drosselspulen. |
| monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are… |
monolithische integrierte Schaltungen, bei denen die Schaltungselemente (Dioden, Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, Leiterbahnen usw.) hauptsächlich im halbleitenden Material sowie auf der Oberfläche halbleitenden Materials (z. B. dotiertem Silicium) hergestellt worden sind und ein… |
| Microwave transistors having any of the following |
:Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: |
| Metal oxide field effect transistors (MOSFET) |
Metalloxid-Feldeffekttransistoren (MOSFET) |
| Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs) |
MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) |
| Semiconductor devices (excluding photosensitive semiconductor devices, photovoltaic cells, thyristors, diacs and triacs, transistors, diodes, and light-emitting diodes) |
Halbleiterbauelemente (ohne lichtempfindliche Halbleiterbauelemente, Photovoltaikzellen, Thyristoren, Diacs und Triacs, Transistoren, Dioden und Leuchtdioden) |
| Photosensitive semiconductor devices; solar cells, photo-diodes, photo-transistors, etc. |
Lichtempfindliche Halbleiterbauelemente; Solarzellen, Fotodioden, Fototransistoren usw. |
| The article is in the form of two interconnected printed circuit assemblies, each containing passive components (capacitors and resistors) and active components (diodes, light emitting diodes (LEDs), transistors and integrated circuits). |
Die Ware besteht aus zwei miteinander verbundenen Baugruppen gedruckter Schaltungen, wobei jede Baugruppe passive Elemente (Kondensatoren und Widerstände) und aktive Elemente (Dioden, Leuchtdioden (LEDs), Transistoren und integrierte Schaltkreise) enthält. |
| The Applicant’s alternator is equipped with synchronous rectification using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors thereby ensuring a high level of efficiency. |
Der Wechselstromgenerator des Antragstellers verfügt über eine Synchrongleichrichtung mittels Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, wodurch ein hoher Wirkungsgrad erzielt wird. |
| Testing of transistors; |
Prüfen von Transistoren; |
| Parts of diodes, transistors and similar semiconductor devices, photosensitive semiconductor devices and photovoltaic cells, light-emitting diodes and mounted piezo-electric crystals |
Teile von Dioden, Transistoren und ähnlichen Halbleiterbauelementen, lichtempfindlichen Halbleiterbauelementen und Photovoltaikzellen, Leuchtdioden und gefassten oder montierten piezoelektrischen Kristallen |
| other passive components (such as connectors, diodes, voltage stabiliser, resistors, capacitors, transistors), |
weitere passive Komponenten (wie Anschlussstücke, Dioden, Spannungsstabilisatoren, Widerstände, Kondensatoren, Transistoren), |
| Diodes and transistors |
Dioden, Transistoren und andere Halbleiterbauelemente |
| The printed circuit assembly is equipped with an infrared sensor, passive elements (capacitors, resistors), active elements (transistors, integrated circuits) and a light emitting diode. |
Der gedruckte Schaltkreis verfügt über einen Infrarot-Sensor, Passivbauteile (Kondensatoren, Widerstände), Aktivbauteile (Transistoren, integrierte Schaltkreise) und eine Leuchtdiode. |
| Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs) |
VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors) |
