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IGBT deutsch | IGBT in German

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English Deutsch
usage Sprachgebrauch
not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und
consisting of an IGBT transistor chip and a diode chip on one or more lead frames, bestehend aus einem IGBT-Transistor-Chip und einem Diodenchip auf einem oder mehreren Leadframes
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)
Insulated gate bipolar transistors (IGBT) Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT)
Copper base plate, of a kind used as a heatsink in the manufacture of IGBT modules of heading 8535 or 8536 with a voltage of 650 V or more but not more than 1200 V [1] Grundplatte aus Kupfer zur Verwendung als Kühlkörper bei der Herstellung von IGBT-Modulen der Position 8535 oder 8536 für eine Spannung von 650 V oder mehr, jedoch nicht mehr als 1200 V [1]
Deutsch English
Sprachgebrauch usage
nicht mehr als drei elektrischen Ausgängen mit je zwei Netzschaltern (entweder MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) oder IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) und internen Laufwerken und not more than three electrical outputs each containing two power switches (whether MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) or IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors)) and internal drives, and
bestehend aus einem IGBT-Transistor-Chip und einem Diodenchip auf einem oder mehreren Leadframes consisting of an IGBT transistor chip and a diode chip on one or more lead frames,
Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Grundplatte aus Kupfer zur Verwendung als Kühlkörper bei der Herstellung von IGBT-Modulen der Position 8535 oder 8536 für eine Spannung von 650 V oder mehr, jedoch nicht mehr als 1200 V [1] Copper base plate, of a kind used as a heatsink in the manufacture of IGBT modules of heading 8535 or 8536 with a voltage of 650 V or more but not more than 1200 V [1]