| English |
Deutsch |
| nouns |
Substantive |
| memories |
Erinnerungen |
| information memories |
Informationsspeicher |
| memories |
Andenken |
| childhood memories |
Kindheitserinnerungen |
| error memories |
Fehlerspeicher |
| Memories |
Speicher |
| usage |
Sprachgebrauch |
| enduring memories |
bleibende Erinnerungen |
| to bring back memories |
Erinnerungen wecken |
| I still think back with fond memories to my time as a student. |
Ich denke immer noch gerne an meine Studienzeit zurück. |
| to renew memories of sth. |
Erinnerungen an etw. auffrischen |
| Narratives about the past may serve to maintain memories. |
Erzählungen über die Vergangenheit können dazu dienen, die Erinnerung wachzuhalten. |
| I can chip in with some memories of school physics. |
Ich kann da einige Erinnerungen an den Physikunterricht beisteuern. |
| A wedding will always stand out in people's memories. |
Eine Hochzeit bleibt immer in besonderer Erinnerung. |
| memories buried in the subconscious |
verschüttete Erinnerungen |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): other memories |
Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): andere Speicher |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): UV erasable, programmable, read only memories (EPROMs) |
Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte EPROMs) |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): dynamic random-access memories (D-RAMs) |
Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, dynamisch) |
| Other memories |
andere Speicher |
| Electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte E2PROMs), einschließlich Flash E2PROMs |
| Memories in multicombinational forms such as stack D-RAMs and modules |
Speicher in Form von Mehrfachkombinationen wie Stack-D-RAMs oder Module |
| Multichip integrated circuits: memories |
Integrierte Multichip-Schaltungen: Speicher |
| Multichip integrated circuits: processors and controllers, whether or not combined with memories, converters, logic circuits, amplifiers, clock and timing circuits, or other circuits |
Integrierte Multichip-Schaltungen: Prozessoren und Steuer- und Kontrollschaltungen, auch mit Speichern, Wandlern, logischen Schaltungen, Verstärkern, Uhren und Taktgeberschaltungen oder anderen Schaltungen kombiniert |
| UV erasable, programmable, read only memories (EPROMs) |
UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte EPROMs) |
| Dynamic random-access memories (D-RAMs) |
dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte dynamische RAMs, DRAMs) |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, statisch), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
| Static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte statische RAMs, SRAMs), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
Elektrische löschbare, programmierbare Lesespeicher, E2PROMs, in MOS-Technik hergestellt (einschließlich Flash E2PROMs) |
| …electronic storage cards’) are storage devices with a connecting socket, comprising in the same housing one or more flash memories (for example, ‘Flash E2PROM’) in the form of integrated circuits mounted on a printed circuit board. |
…Storage Card“) Speichervorrichtungen mit einer elektrischen Anschlussvorrichtung, die im gleichen Gehäuse einen oder mehrere Flashspeicher (z. B. „Flash E2PROM“) in Form von auf gedruckten Schaltungen montierten integrierten Schaltungen enthalten. |
| Processors and controllers, whether or not combined with memories, converters, logic circuits, amplifiers, clock and timing circuits, or other circuits |
Prozessoren und Steuer- und Kontrollschaltungen, auch in Verbindung mit Speichern, Wandlern, logischen Schaltungen, Verstärkern, Uhren und Taktgeberschaltungen oder anderen Schaltungen |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): processors and controllers, whether or not combined with memories, converters, logic circuits, amplifiers, clock and timing circuits, or other circuits |
Elektronische integrierte Schaltungen (augenommen Integrierte Multichip-Schaltungen): Prozessoren und Steuer- und Kontrollschaltungen, auch mit Speichern, Wandlern, logischen Schaltungen, Verstärkern, Uhren und Taktgeberschaltungen oder anderen Schaltungen kombiniert |
| ‘Technical data’ may take forms such as blueprints, plans, diagrams, models, formulae, tables, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disk, tape, read-only memories. |
‚Technische Unterlagen‘ (technical data): können verschiedenartig sein, z. B. Blaupausen, Pläne, Diagramme, Modelle, Formeln, Tabellen, Konstruktionspläne und -spezifikationen, Beschreibungen und Anweisungen in Schriftform oder auf anderen Medien aufgezeichnet, wie Magnetplatten, Bänder oder Lesespeicher. |
| MOS digital monolithic integrated circuits with uv erasable, programmable, read only memories (eproms) excluding circuits consisting solely of passive elements |
UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher, EPROMs, in MOS-Technik hergestellt |
| …a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd… |
…die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt), für den ein Nullzollsatz festgesetzt… |
| …countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS… |
…bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig… |
| …a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd… |
…bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd („Samsung“), für das ein Nullzollsatz festgesetzt wurde… |
| …the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3]. |
…Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] wurden für die Einfuhren bestimmter elektronischer Schaltungen der Kapitel 84 und 85 der Kombinierten Nomenklatur Ausgleichszölle eingeführt. |
| …the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
…des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea |
| Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher, E2PROMs (einschließlich Flash E2PROMs) |
| Electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (DRAMs) |
Als DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) bezeichnete elektronische Mikroschaltungen |
| Infineon is the parent company of a large international group with four main divisions: wireline communications, secure mobile solutions, memories, and automotive and industrial. |
Infineon ist die Muttergesellschaft eines großen internationalen Konzerns mit vier Hauptgeschäftsbereichen: drahtgebundene Kommunikation, sichere mobile Lösungen, Speicherprodukte sowie Automobil- und Industrieelektronik. |
| Memories. |
Speicherschaltungen. |
| repealing the countervailing duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (Dynamic Random Access Memories) originating in the Republic of Korea and terminating the proceeding |
zur Aufhebung des Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und zur Einstellung des Verfahrens |
| …diagrams, models, formulae, tables, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disk, tape, read-only memories. |
…anderer Materialien wie pathologische Präparate, Kulturpflanzen, Lebensmittel oder Mutterkulturen von „Mikroorganismen“. |
| The activities will contribute to a critical analysis of how a European tangible and non-tangible heritage has developed over time, including language, memories, practices, institutions and identities. |
Die Tätigkeiten werden zu einer kritischen Analyse der Frage beitragen, wie sich das materielle und immaterielle europäische Erbe – darunter Aspekte wie Sprache, Gedächtnis, Gebräuche, institutionelle Struktur und Identität – im Laufe der Zeit entwickelt hat. |
| …using high quality European digital cultural and scientific resources through the linking of virtual libraries, community memories, etc. Activities should encompass coordinated approaches to digitisation and collection building, preservation of digital… |
…digitalen kulturellen und wissenschaftlichen Ressourcen und deren Nutzung durch Verknüpfung virtueller Bibliotheken, gemeinschaftlicher Sammlungen usw. Zu fördern sind koordinierte Konzepte für die Digitalisierung und das Anlegen von Sammlungen, die Pflege digitaler Objekte sowie… |
| …the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
…die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) mit Ursprung in der Republik Korea |
| …a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [4] (provisional Regulation). |
…Einführung eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen mit Ursprung in der Republik Korea [4] (nachstehend „vorläufige Verordnung“ genannt) voraus. |
| …a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3] (the provisional duty Regulation). |
…Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] („vorläufige Verordnung“) voraus. |
| The following types of DRAMs are covered by these CN/TARIC codes: wafers, chips (dies), memories (chips mounted, i.e. with their terminals or leads, whether or not encased in ceramic, metal, plastics or other materials, hereafter referred to as ‘mounted DRAMs… |
Unter die genannten KN- und TARIC-Codes fallen folgende DRAM-Typen: Scheiben (wafers), Chips, Speicher (d. h. bereits mit Anschlüssen und Anschlussdrähten versehene Chips, auch in einem Keramik-, Metall- oder Kunststoffgehäuse, nachstehend „einbaufertige… |
