| Deutsch |
English |
| Sprachgebrauch |
usage |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, dynamisch) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): dynamic random-access memories (D-RAMs) |
| dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte dynamische RAMs, DRAMs) |
Dynamic random-access memories (D-RAMs) |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, statisch), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
| statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte statische RAMs, SRAMs), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
Static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
| …genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend „Samsung“ genannt… |
…the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than… |
| Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und… |
A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including… |
| …führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd („Samsung“), für das… |
…Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than… |
| …vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] wurden für die Einfuhren bestimmter elektronischer Schaltungen der Kapitel 84 und 85 der… |
…imposed by Council Regulation (EC) No 1480/2003 of 11 August 2003 imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access… |
| …des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea |
…the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
| Als DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) bezeichnete elektronische Mikroschaltungen |
Electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (DRAMs) |
| Ausgleichsmaßnahmen der Europäischen Gemeinschaften gegen dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff aus Korea, WT/DS299/R, Panel-Bericht vom 17. Juni 2005, Absatz 7186. |
European Communities-Countervailing Measures on Dynamic random Access memory Chips from Korea, WT/DS299/R, Panel Report 17 June 2005, para 7186. |
| Am 3. August 2005 verabschiedete das Streitbeilegungsgremium (DSB) der Welthandelsorganisation (WTO) einen Bericht zur Streitsache „Europäische Gemeinschaften — Ausgleichsmaßnahmen gegenüber dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs) aus Korea“ [5]. |
On 3 August 2005, the Dispute Settlement Body (DSB) of the World Trade Organisation (WTOmm) adopted a Panel report in ‘European Communities — Countervailing measures on dynamic random access memory chips from Korea’ [5]. |
| zur Aufhebung des Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und zur Einstellung des Verfahrens |
repealing the countervailing duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (Dynamic Random Access Memories) originating in the Republic of Korea and terminating the proceeding |
| …auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) mit Ursprung in der Republik Korea |
…definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
| …Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] („vorläufige Verordnung“) voraus. |
…a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3] (the provisional duty Regulation). |
