| Deutsch |
English |
| Sprachgebrauch |
usage |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte EPROMs) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): UV erasable, programmable, read only memories (EPROMs) |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, dynamisch) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): dynamic random-access memories (D-RAMs) |
| elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte E2PROMs), einschließlich Flash E2PROMs |
Electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
| UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher (so genannte EPROMs) |
UV erasable, programmable, read only memories (EPROMs) |
| als „intelligente Karten (smart cards)“, Karten, mit einer oder mehreren in ihnen als Mikroplättchen (Chip) eingelassenen elektronischen integrierten Schaltungen (Mikroprozessor, Schreib-/Lesespeicher (RAM – random access memory) oder Festwertspeicher (ROM – read-only memory)). |
the term ‘smart cards’ means cards which have embedded in them one or more electronic integrated circuits (a microprocessor, random access memory (RAM) or read-only memory (ROM)) in the form of chips. |
| dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte dynamische RAMs, DRAMs) |
Dynamic random-access memories (D-RAMs) |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte RAMs, statisch), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
| statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte statische RAMs, SRAMs), einschließlich Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (so genannte Cache-RAMs) |
Static random-access memories (S-RAMs), including cache random-access memories (cache-RAMs) |
| Dynamische Schreib-Lesespeicher, RAMs, in MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität > 4 Mbit |
Digital MOS integrated circuits (ICs), DRAM (including modules) with a capacity > 4 Mbits |
| Elektrische löschbare, programmierbare Lesespeicher, E2PROMs, in MOS-Technik hergestellt (einschließlich Flash E2PROMs) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
| ‚Technische Unterlagen‘ (technical data): können verschiedenartig sein, z. B. Blaupausen, Pläne, Diagramme, Modelle, Formeln, Tabellen, Konstruktionspläne und -spezifikationen, Beschreibungen und Anweisungen in Schriftform oder auf anderen Medien aufgezeichnet, wie Magnetplatten, Bänder oder Lesespeicher. |
‘Technical data’ may take forms such as blueprints, plans, diagrams, models, formulae, tables, engineering designs and specifications, manuals and instructions written or recorded on other media or devices such as disk, tape, read-only memories. |
| UV-löschbare, programmierbare Lesespeicher, EPROMs, in MOS-Technik hergestellt |
MOS digital monolithic integrated circuits with uv erasable, programmable, read only memories (eproms) excluding circuits consisting solely of passive elements |
| Statische Schreib-Lesespeicher, RAMs, in MOS-Technik hergestellt |
Digital MOS integrated circuits (ICs), SRAM (including modules) |
| Anmerkung 1:‚Technische Unterlagen‘ (technical data): können verschiedenartig sein, z.B. Blaupausen, Pläne, Diagramme, Modelle, Formeln, Tabellen, Konstruktionspläne und -spezifikationen, Beschreibungen und Anweisungen in Schriftform oder auf anderen Medien aufgezeichnet, wie Magnetplatten, Bänder oder Lesespeicher. |
"Tape" (1) is a material constructed of interlaced or unidirectional "monofilaments", "strands", "rovings", "tows", or "yarns", etc., usually preimpregnated with resin. |
| …endgültige Verordnung“ genannt) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd (nachstehend… |
…Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies… |
| Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und… |
A definitive countervailing duty is hereby imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including… |
| …Verordnung“) führte der Rat auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und hergestellt von anderen Unternehmen als Samsung Electronics Co. Ltd… |
…duty Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all… |
| …Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] wurden für die Einfuhren bestimmter elektronischer Schaltungen der… |
…have been imposed by Council Regulation (EC) No 1480/2003 of 11 August 2003 imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic… |
| …endgültigen Vereinnahmung des vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea |
…definitely the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
| Elektronische integrierte Schaltungen (ohne Multichip-Schaltungen): elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher, E2PROMs (einschließlich Flash E2PROMs) |
Electronic integrated circuits (excluding multichip circuits): electrically erasable, programmable, read only memories (E2PROMs), including flash E2PROMs |
| Als DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) bezeichnete elektronische Mikroschaltungen |
Electronic integrated circuits known as dynamic random access memories (DRAMs) |
| Ausgleichsmaßnahmen der Europäischen Gemeinschaften gegen dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff aus Korea, WT/DS299/R, Panel-Bericht vom 17. Juni 2005, Absatz 7186. |
European Communities-Countervailing Measures on Dynamic random Access memory Chips from Korea, WT/DS299/R, Panel Report 17 June 2005, para 7186. |
| zur Aufhebung des Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea und zur Einstellung des Verfahrens |
repealing the countervailing duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (Dynamic Random Access Memories) originating in the Republic of Korea and terminating the proceeding |
| Anmerkung 1:'Technische Unterlagen' (technical data): können verschiedenartig sein, z. B. Blaupausen, Pläne, Diagramme, Modelle, Formeln, Tabellen, Konstruktionspläne und -spezifikationen, Beschreibungen und Anweisungen in Schriftform oder auf anderen Medien aufgezeichnet, wie Magnetplatten, Bänder oder Lesespeicher. |
"Tilting spindle" (2) means a tool-holding spindle which alters, during the machining process, the angular position of its centre line with respect to any other axis. |
| Karten und Etiketten, kontaktlos, üblicherweise bestehend aus einer, mit einer gedruckten Antenne verbundenen integrierten Schaltung mit Lesespeicher |
Proximity cards and tags, generally consisting of an integrated circuit with a read only memory attached to a printed antenna |
| Elektrische löschbare, programmierbare Lesespeicher, E2PROMs, in MOS-Technik hergestellt (einschl. Flash E2PROMs) |
Digital MOS integrated circuits (ICs) (E)EPROMS and flash EEPROMS |
| …vorläufigen Zolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff) mit Ursprung in der Republik Korea |
…duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea |
| …eines vorläufigen Ausgleichszolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), mit Ursprung in der Republik Korea [3] („vorläufige Verordnung“) voraus. |
…2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea [3] (the provisional duty Regulation). |
