| English |
Deutsch |
| nouns |
Substantive |
| bipolar integrated circuit |
Bipolarschaltung |
| hetero-bipolar transistors |
EDM |
| other |
andere |
| bipolar |
zweipolig |
| bipolar |
bipolar |
| usage |
Sprachgebrauch |
| bipolar disorder |
bipolare Störung |
| bipolar |
manisch-depressiv |
| bipolar syndrome |
bipolare Störung |
| bipolar affective disorder |
bipolare Störung |
| bipolar syndrome |
bipolare affektive Störung |
| bipolar disorder |
bipolare affektive Störung |
| bipolar affective disorder |
bipolare affektive Störung |
| bipolar syndrome |
manische Depression |
| bipolar disorder |
manische Depression |
| bipolar affective disorder |
manische Depression |
| Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz. |
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. |
| Static converter comprising a power switch with insulated-gate bipolar transistors (IGBTs), contained in a housing, for use in the manufacture of microwave ovens of subheading 85165000 [1] |
Statischer Umwandler mit einem Leistungsschalter mit Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), in einem Gehäuse, zur Verwendung beim Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 85165000 [1] |
| hetero-bipolar transistors |
Globales Positionierungssystem (global positioning system) |
| Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices; |
Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; |
| Bipolar junction transistors (BJT) |
Bipolare Sperrschicht-Transistoren (BJT) |
| Bipolar darlington or radio frequency (RF) transistors |
Bipolare Darlington- oder Hochfrequenztransistoren (HF-Transistoren) |
| Bipolar membrane cell technique |
bipolare Membranzellen |
| Bipolar Junction Transistors (BJTs) |
BJTs (Bipolar Junction Transistors) |
| Electro-membrane treatment (“the treatment”) is a physical method for ionic must or wine extraction under the action of an electric field using anion-permeable membranes and bipolar membranes. |
Bei der Elektromembranbehandlung (nachstehend ‚die Behandlung‘) handelt es sich um eine physikalische Methode der Ionenextraktion bei Most oder Wein unter Einwirkung eines elektrischen Feldes mit Hilfe von anionendurchlässigen Membranen einerseits und bipolaren Membranen andererseits. |
| hetero-bipolar transistors |
Global positioning system (Globales Positionierungssystem) |
| In a bipolar configuration, individual membrane cells are electrically connected in series. |
Bei der bipolaren Konfiguration werden die einzelnen Membranzellen in Reihe geschaltet. |
| Individual diaphragm cells are electrically connected in series (bipolar) or in parallel (monopolar). |
Die einzelnen Diaphragmazellen werden in Reihe (bipolar) oder parallel (monopolar) geschaltet. |
| Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) |
| Insulated gate bipolar transistors (IGBT) |
Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) |
| The bipolar membranes must be impermeable to the anions and cations of must and wine. |
Die bipolaren Membranen müssen für Anionen und Kationen des Mosts oder des Weins undurchlässig sein. |
| Using anion-permeable membranes and bipolar membranes allows the reduction in titration acidity and actual acidity (increase in pH) to be controlled. |
Die Verbindung von anionendurchlässigen Membranen und bipolaren Membranen ermöglicht eine Verringerung der titrierbaren Säure und des tatsächlichen Säuregehalts (Erhöhung des pH-Werts). |
