| Deutsch |
English |
| Sprachgebrauch |
usage |
| Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. |
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz. |
| Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), «quantum well devices» oder «super lattice devices»; |
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices; |
| Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) |
International Civil Aviation Organisation |
| Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungshalbleiter“ (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes); |
"III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes; |
| :Thyristoren und ’Thyristormodule’ für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: |
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following |
| Bleioxid in Strukturelementen von Plasmadisplays (PDP) und SED-Displays (surface conduction electron emitter displays) wie der dielektrischen Schicht von Vorder- und Rückglas, der Bus-Elektrode, dem Black Stripe, der Adresselektrode, der Trenn-Barriere, der Glasfritte für die Befestigung… |
Lead oxide in plasma display panels (PDP) and surface conduction electron emitter displays (SED) used in structural elements; notably in the front and rear glass dielectric layer, the bus electrode, the black stripe, the address electrode, the barrier… |
| Bleioxid in Strukturelementen von SED-Displays (surface conduction electron emitter displays (SED), insbesondere in der Glasfritte für die Befestigung (seal frit) und dem Glasfrittering (frit ring) |
Lead oxide in surface conduction electron emitter displays (SED) used in structural elements, notably in the seal frit and frit ring |
| Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (electron beam physical vapour deposition) |
ETSI European Telecommunications Standards Institute FFT |
| Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W; |
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W; |
| HEMTs (High Electron Mobility Transistors) |
High Electron Mobility Transistors (HEMTs) |
| High electron mobility transistors (Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit) |
International Civil Aviation Organisation |
| Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) |
molecular laser isotopic separation MLS |
