| Deutsch |
English |
| Sprachgebrauch |
usage |
| :andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: |
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following |
| Verbindungshalbleiter-Fotokathoden. |
Compound semiconductor photocathodes |
| Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter, |
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor; |
| andere III-V-Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, |
Other III-V compound semiconductor photocathodes; |
| "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, |
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; |
| Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. |
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less. |
| Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. |
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less. |
| Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungshalbleiter“ (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes); |
"III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes; |
| hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz oder |
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or |
| Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W; |
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W; |
| :Anmerkung:Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um eine der folgenden maximalen Strahlungsempfindlichkeiten (radiant sensitivity) zu erreichen: |
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum radiant sensitivity of any of the following |
| andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W; |
Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W; |
