| Deutsch |
English |
| Sprachgebrauch |
usage |
| Anmerkung: Unternummer 6A002a2b3 erfasst keine Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. |
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less. |
| Anmerkung: Unternummer 6A002a2a3c gilt nicht für Verbindungshalbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W. |
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less. |
| besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W, |
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W; |
| besonders konstruiert oder geändert für die ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm und |
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and |
| :"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: |
"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following |
| Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 15 mA/W; |
"III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W; |
| andere "III/V-Verbindungshalbleiter"-Fotokathoden mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W; |
Other "III/V compound" semiconductor photocathodes having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W; |
| :Strahlungsempfindlichkeit der Zellen, Ermittlung historischer Daten |
Radiation sensitivity of the cells, establishing of historical data |
| :Strahlungsempfindlichkeit, Kontrolle des laufenden Tests |
Radiation sensitivity, check of current test |
