ä=ae | ö=oe | ü=ue | ß=ss

Ladungsverstärkung englisch | Ladungsverstärkung translation

Deutsch	English
Sprachgebrauch	usage
elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und	an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 µm or less, specially designed or modified to achieve "charge multiplication" other than by a microchannel plate; and
’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process).	’Charge multiplication’ is a form of electronic image amplification and is defined as the generation of charge carriers as a result of an impact ionization gain process.
besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W,	specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W;
besonders konstruiert oder geändert für die ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) und mit einer maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) größer 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm und	Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
:"Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen Strahlungsempfindlichkeit (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften:	"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following
ladungsgekoppelte Geräte (Charge Coupled Devices (CCD)), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication) oder	Charge Coupled Devices (CCD) not designed or modified to achieve ’charge multiplication’; or
Geräte mit komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer ’Ladungsverstärkung’ (charge multiplication).	Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices not designed or modified to achieve ’charge multiplication’.