| English | Deutsch |
|---|---|
| usage | Sprachgebrauch |
| Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004; | MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-) Reaktoren, besonders konstruiert für das Kristallwachstum von Verbindungshalbleitern aus der chemischen Reaktion zwischen Substanzen (Materialien, Werkstoffen), die von Nummer 3C003 oder 3C004 erfasst werden, |
| Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen. | Anmerkung:Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. |
| Deutsch | English |
|---|---|
| Sprachgebrauch | usage |
| MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-) Reaktoren, besonders konstruiert für das Kristallwachstum von Verbindungshalbleitern aus der chemischen Reaktion zwischen Substanzen (Materialien, Werkstoffen), die von Nummer 3C003 oder 3C004 erfasst werden, | Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004; |
| Anmerkung:Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. | Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen. |