| English | Deutsch |
|---|---|
| usage | Sprachgebrauch |
| "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride. | "Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid. |
| Deutsch | English |
|---|---|
| Sprachgebrauch | usage |
| "Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid. | "Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride. |